| 発表題目 |
シリコンフォトニック結晶を用いた広帯域テラヘルツ半波長板の構造最適化計算による高性能化 |
| 発表者名 |
○山根 秀勝、近藤 裕佑、山田 義春、村上 修一、他 |
| 発表会名 |
第86回応用物理学会秋季学術講演会 |
| 発表日 |
2025/9/7
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概要
我々は先行研究において、MEMS微細加工技術を用いて、シリコンに楕円状の周期貫通孔を加工した2次元異方性フォトニック結晶を作製し、テラヘルツ帯域において広帯域に機能する半波長板を開発した。しかしながらこの半波長板は、理論上、結晶構造に起因する束縛状態と考えられるピークの鋭い共鳴が半波長板としての機能帯域に複数現れており、潜在的欠陥となる可能性を持っていた。本研究では、先行研究で得られた形状パラメータを起点に、構造最適化計算を用いて半波長板の高性能化を目指した。その結果、0.4 ? 0.7THzの全帯域でピークのない滑らかなスペクトルが得られ、欠陥周波数を持たない広帯域半波長板を実現した。